onsemi NVBG020N120SC1 NチャンネルシリコンカーバイドMOSFET
onsemi NVBG020N120SC1 N-ChシリコンカーバイドMOSFETには、優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しているテクノロジーが採用されています。NVBG020N120SC1 MOSFETは、さらなる高効率、高速動作周波数、電力密度の向上、EMIの低減、システムサイズの削減が実現しています。このデバイスの低ON抵抗およびコンパクトなチップサイズによって、低容量とゲート電荷が保証されます。NVBG020N120SC1 N-ChシリコンカーバイドMOSFETは、AEC-Q101に準じた車載用の認定を受けており、車載アプリケーションに最適です。
特徴
- 標準 RDS(ON) = 20m
- 超低ゲート電荷（標準 QG(tot) = 220nC)
- 低効率出力静電容量（標準 Coss = 258pF)
- 100%アバランシェ試験済
- AEC-Q101に準じた認定を取得済
- RoHS準拠
アプリケーション
- 車載用オンボード充電器
- EV/HEV向け車載用DC/DCコンバータ
その他の資料
アプリケーション回路
ビデオ
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シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。
公開: 2019-11-07
| 更新済み: 2024-02-02