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onsemi シールドゲートPowerTrench® MOSFET

OnsemiシールドゲートPowerTrench® MOSFETはNチャンネルであり、最適化されたスイッチング性能を提供します。このMOSFETは、低い逆回復充電 (Qrr) とソフトボディダイオードが特徴で、優れた低ノイズスイッチングを目的としています。OnsemiシールドゲートPowerTrench MOSFETは、より低いスイッチングスパイクと電磁干渉 (EMI) により高効率を提供します。これにより、 スイッチング性能指数 (FOM) が向上します。代表的なアプリケーションには、ATX/サーバー/テレコム電源ユニット(PSU) 、モータドライブ、無停電電源装置(UPS) 、マイクロソーラーインバータなどの同期整流が含まれます。

特徴

  • シールドゲートMOSFETテクノロジー
  • 最適化されたスイッチング性能
  • 5mΩ (最大) RDS (on) @ VGS = 10VおよびID = 97A
  • 他のMOSFETより50%低いQrr
  • さらなる低スイッチングノイズ/EMI
  • 100%非クランプ誘導負荷（UIL）試験済
  • ドレイン‐ソース間電圧 (VDSS) ：150V
  • 最大ドレイン電流 (ID) ：139A

アプリケーション

  • 同期整流
    • 高度なテクノロジー拡張 (ATX)
    • サーバー
    • テレコムPSUテクノロジー
  • モータドライブ
  • UPS
  • ミクロソーラーインバータ

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部品番号 データシート 説明
NTP011N15MC NTP011N15MC データシート MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 10.9 mohm, 74.3 A
NTP5D0N15MC NTP5D0N15MC データシート MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 5.0 mohm, 139 A
NTP7D3N15MC NTP7D3N15MC データシート MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 7.3 mohm, 101 A
公開: 2020-09-16 | 更新済み: 2024-11-07