onsemi NTHL025N065SC1シリコンカーバイド(SiC)MOSFET

Onsemi  NTHL025N065SC1 シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、優れたスイッチング性能と高い信頼性を提供します。MOSFETにはオン抵抗があり、そのコンパクトなチップサイズによって低容量とゲート電荷が保証されます。その結果、さらなる高効率、高速動作周波数、電力密度の向上、EMIの低減、システムサイズの削減といったメリットがあります。

特徴

  • 標準RDS(on) = 19m @ VGS = 18V
  • 標準RDS(on) = 25m @ VGS = 15V
  • 超低ゲート電荷(QG(tot) = 164nC)
  • 低容量(Coss = 278pF)
  • 100%アバランシェ試験済
  • TJ=175°C
  • このデバイスにはハロゲン化物が含まれておらず、RoHSに準拠しています(適用除外7a, Pb−Free 2LI(第2レベル相互接続))。

アプリケーション

  • SMPS(スイッチングモード電源)
  • ソーラーインバータ
  • UPS(無停電電源装置)
  • エネルギー貯蔵
公開: 2022-05-09 | 更新済み: 2023-07-27