onsemi NVBG025N065SC1シリコンカーバイド(SiC)MOSFET

Onsemi NVBG025N065SC1 シリコンカーバイド(SiC)MOSFET は、シリコンより優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。onsemi NVBG025N065SC1は、低オン抵抗、およびコンパクトなチップサイズが特徴で、低静電容量とゲート電荷が保証されます。高効率、高速動作周波数、電力密度の向上、EMIの低減、システムサイズの削減などのシステム上のメリットがあります。

特徴

  • 標準RDS (on) = 19m(VGS = 18V時)
  • 標準RDS (on) = 25m(VGS = 15V時)
  • 超低ゲート電荷(QG(tot) = 164nC)
  • 低出力容量(Coss = 278pF)
  • 100%アバランシェ試験済み
  • AEC-Q101認定およびPPAP対応
  • RoHS準拠

アプリケーション

  • 車載用オンボード充電器
  • 車載用DC/DCコンバータ(EV/HEV用)
公開: 2023-01-05 | 更新済み: 2024-06-18