onsemi NVMFS5832NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
onsemi NVMFS5832NL シングル Nチャネル パワーMOSFETは、効率的な電力スイッチングが必要になる低電圧アプリケーション向けに設計された高性能MOSFETです。高度なトレンチ技術で構築されているNVMFS5832NLは、4.2mΩ(VGS = 10V時)という極めて低いRDS(on) を実現しており、伝導損失の低減と熱性能の向上を可能にします。このMOSFETは、最大ドレイン・ソース電圧40Vおよび定格最大連続ドレイン電流120Aで設計されており、DC-DCコンバータ、同期整流、モータ制御など要求水準が厳しい環境に最適です。放熱性に優れ電力密度を高めるコンパクトな5mm x 6mm パワーDFNパッケージに加えて、このデバイスはゲート電荷が低く、高周波設計での効率を向上させる高速スイッチングにも最適です。特徴
- 40V、4.2mΩ、120Aデバイス
- DFN5 (SO-8FL) ケース 488AAスタイル1パッケージ
- コンパクトな設計に適した小型フットプリント (5mm x 6mm)
- 伝導損失を最小限に抑える低RDS(on)
- ドライバ損失を最小限に抑える低QGおよび低静電容量
- ウェッタブル・フランク製品
- AEC-Q101認定およびPPAP対応
- リードフリー、RoHS準拠
アプリケーション
- エンジン制御モジュール
- ボディコントロール・モジュール
- シャーシ制御モジュール
仕様
- 最大ドレイン・ソース間電圧 40V
- 最大ゲート・ソース間電圧 ±20V
- 最大ドレイン電流(パルス)557A
- 最大ソース電流(ボディダイオード)120A
- 最大シングルパルス ドレイン・ソース間アバランシェエネルギー 134mJ
- オフ特性
- 最大ドレイン・ソース間降伏電圧 40V
- ドレイン・ソース間降伏電圧の標準温度係数 34.2mV/°C
- 最大ゼロゲート電圧ドレイン電流 1µA~100µA
- ゲート・ソース間リーク電流 ±100nA
- On特性
- ゲート閾値電圧 1.4V~2.4V
- 標準負の閾値温度係数 6.4mV/°C
- 最大ドレイン・ソース間オン抵抗 4.2mΩ~6.5mΩ
- 標準順方向トランスコンダクタンス 21S
- 標準静電容量
- 2,700pF入力
- 360pF 出力
- 250pF逆方向転送
- 標準電荷
- 総ゲート電荷 25nC~51nC
- 閾値ゲート電荷 2.0nC
- ゲート・ソース間 8.0nC
- ドレイン・ソース間 12.7nC
- 標準プラトー電圧 3.2V
- スイッチング特性
- ターンオン遅延時間 13ns
- 立ち上がり時間 24ns
- ターンオフ遅延時間 27ns
- 立ち下がり時間 8.0ns
- ドレインソース間のダイオード特性
- 最大ダイオード順電圧 1.2V
- 標準的な逆回復時間 28.6ns
- 標準充電時間 14ns
- 標準放電時間 14.5ns
- 標準逆回復電荷 23.4nC
- 熱抵抗
- 接合部・実装基板間(上面、定状態)1.2°C/W
- 接合部・周囲間(定状態)40°C/W
- 動作時接合部温度 -55°C~+175°C
- リードの半田付け温度 +260°C
回路図
公開: 2025-11-11
| 更新済み: 2025-11-19
