onsemi NVMFS5832NLシングルNチャンネルパワーMOSFET

onsemi NVMFS5832NL シングル Nチャネル パワーMOSFETは、効率的な電力スイッチングが必要になる低電圧アプリケーション向けに設計された高性能MOSFETです。高度なトレンチ技術で構築されているNVMFS5832NLは、4.2mΩ(VGS = 10V時)という極めて低いRDS(on) を実現しており、伝導損失の低減と熱性能の向上を可能にします。このMOSFETは、最大ドレイン・ソース電圧40Vおよび定格最大連続ドレイン電流120Aで設計されており、DC-DCコンバータ、同期整流、モータ制御など要求水準が厳しい環境に最適です。放熱性に優れ電力密度を高めるコンパクトな5mm x 6mm パワーDFNパッケージに加えて、このデバイスはゲート電荷が低く、高周波設計での効率を向上させる高速スイッチングにも最適です。

特徴

  • 40V、4.2mΩ、120Aデバイス
  • DFN5 (SO-8FL) ケース 488AAスタイル1パッケージ
  • コンパクトな設計に適した小型フットプリント (5mm x 6mm)
  • 伝導損失を最小限に抑える低RDS(on)
  • ドライバ損失を最小限に抑える低QGおよび低静電容量
  • ウェッタブル・フランク製品
  • AEC-Q101認定およびPPAP対応
  • リードフリー、RoHS準拠

アプリケーション

  • エンジン制御モジュール
  • ボディコントロール・モジュール
  • シャーシ制御モジュール

仕様

  • 最大ドレイン・ソース間電圧 40V
  • 最大ゲート・ソース間電圧 ±20V
  • 最大ドレイン電流(パルス)557A
  • 最大ソース電流(ボディダイオード)120A
  • 最大シングルパルス ドレイン・ソース間アバランシェエネルギー 134mJ
  • オフ特性
    • 最大ドレイン・ソース間降伏電圧 40V
    • ドレイン・ソース間降伏電圧の標準温度係数 34.2mV/°C
    • 最大ゼロゲート電圧ドレイン電流 1µA~100µA
    • ゲート・ソース間リーク電流 ±100nA
  • On特性
    • ゲート閾値電圧 1.4V~2.4V
    • 標準負の閾値温度係数 6.4mV/°C
    • 最大ドレイン・ソース間オン抵抗 4.2mΩ~6.5mΩ
    • 標準順方向トランスコンダクタンス 21S
  • 標準静電容量
    • 2,700pF入力
    • 360pF 出力
    • 250pF逆方向転送
  • 標準電荷
    • 総ゲート電荷 25nC~51nC
    • 閾値ゲート電荷 2.0nC
    • ゲート・ソース間 8.0nC
    • ドレイン・ソース間 12.7nC
  • 標準プラトー電圧 3.2V
  • スイッチング特性
    • ターンオン遅延時間 13ns
    • 立ち上がり時間 24ns
    • ターンオフ遅延時間 27ns
    • 立ち下がり時間 8.0ns
  • ドレインソース間のダイオード特性
    • 最大ダイオード順電圧 1.2V
    • 標準的な逆回復時間 28.6ns
    • 標準充電時間 14ns
    • 標準放電時間 14.5ns
    • 標準逆回復電荷 23.4nC
  • 熱抵抗
    • 接合部・実装基板間(上面、定状態)1.2°C/W
    • 接合部・周囲間(定状態)40°C/W
  • 動作時接合部温度 -55°C~+175°C
  • リードの半田付け温度 +260°C

回路図

回路図 - onsemi NVMFS5832NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
公開: 2025-11-11 | 更新済み: 2025-11-19