onsemi NVMFS6H8xパワーMOSFET
onsemi NVMFS6H8xパワーMOSFETは、80V、シングルNチャンネル、コンパクトな設計のためのフットプリントになっています。これらのパワーMOSFETは、2.1mΩ、2.8mΩ、3.7mΩの各抵抗範囲でご用意があります。特徴には、導電損失を最小限に抑える低RDS(on)、低QG、低容量があります。NVMFS6H8xパワーMOSFETは、RoHSに準拠しており、AEC-Q101の認定を受けています。これらのパワーMOSFETは、-55°C～175°Cの動作温度範囲で動作します。
特徴
- コンパクト設計のための小型フットプリント5mm x 6mm
- 導通損失を最小限に抑えるための低RDS(on)
- ドライバの損失を最小限に抑える低QGと容量
- 強化光学検査用可湿性側面（WF）オプション
- -55°C～175°Cの温度範囲で動作します。
- AEC-Q101認定およびPPAP対応
- これらのデバイスは無鉛でRoHSに準拠
アプリケーション
- Automotive
- DC-DC converters
- Point-of-Load (POL)
- Servers
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onsemi Trench8 MOSFET
MOSFETは、主な性能指数 (FOM) である低いRDS(ON) 、超低Qg 、低Qg×RDS(ON) を特徴としています。
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| 部品番号 | データシート | Id - 連続ドレイン電流 | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース | Qg - ゲート電荷 | Pd - 電力損失 |
|---|---|---|---|---|---|
| NVMFS6H864NLT1G |  |
22 A | 29 mOhms | 9 nC | 33 W |
| NVMFS6H800NT1G | |
203 A | 2.1 mOhms | 85 nC | 200 W |
| NVMFS6H801NT1G | |
157 A | 2.8 mOhms | 64 nC | 166 W |
| NVMFS6H818NLT1G | |
135 A | 3.2 mOhms | 64 nC | 140 W |
| NVMFS6H818NT1G | |
123 A | 3.7 mOhms | 46 nC | 136 W |
公開: 2018-06-11
| 更新済み: 2022-10-21