onsemi シリコンカーバイドショットキーダイオード

onsemiシリコンカーバイド(SiC)ショットキーダイオードは、シリコンベースのデバイスに優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。SiCショットキーダイオードには逆回復電流がなく、温度に依存しないスイッチングと優れた熱性能が備わっています。システムのメリットには、高効率、高速動作周波数、高電力密度、低EMI、およびシステムのサイズとコストの削減があります。onsemiは、650Vおよび1200Vデバイスをさまざまな電流ならびにパッケージ・オプションで提供しており、次世代パワーシステム設計に最適です。

特徴

  • 逆方向QRRリカバリなし
  • 順方向リカバリなし
  • 低VF(より低い導通損失)
  • 温度範囲全体での漏れ安定性
  • 温度に依存しないスイッチング特性
  • より高いサージおよびアバランシェ容量
  • 正温度係数
  • より高い動作温度(TJMAX=175ºC)

アプリケーション

  • 太陽光発電インバータ(PV)
  • 力率補正(PFC)
  • 電気およびハイブリッド車の充電装置
  • 配電
  • 無停電電源(UPS)
  • テレコムおよびサーバ電源

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onsemi シリコンカーバイドショットキーダイオード
公開: 2018-04-24 | 更新済み: 2022-10-20