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onsemi UF3C SiC FET

onsemi UF3C高性能SiC FETは、高性能G3 SiC JFETとカスコード最適化Si MOSFETをカスコード接続し、標準的なゲート駆動SiCデバイスを製造する、シリコンカーバイド（SiC）製品です。このシリーズは、超低ゲート電荷を示し、誘導負荷のスイッチングや標準的なゲート駆動を必要とするアプリケーションに最適です。オンセミUF3C SiC FETは、650V、1200V、1700Vのバージョンがあり、D2PAK-3、D2PAK-7、D2PAK-7L、TO-247-3L、TO-247-4L、TO-220-3Lパッケージで提供されます。

onsemi UF3C SiC FETは、シリコンIGBT、FET、MOSFET、またはスーパージャンクション・デバイスの「ドロップイン置き換え」を可能にする標準的なゲートドライブ特性を備えています。代表的なアプリケーションには、EV充電、PVインバータ、スイッチモード電源、力率改善モジュール、モータドライブ、誘導加熱などがあります。

特徴

  • 優れたボディダイオード性能（Vf＜2V）
  • 任意のSiおよび/またはSiCゲート駆動電圧で駆動
  • 高性能カスコード構成
  • IGBT、Si、その他のSiC MOSFETと簡単にドロップイン交換可能
  • 革新的なカスコード構成により、SiおよびSiCゲート電圧の互換性を実現
  • 優れた逆回復
  • ESDおよびゲート保護を統合
  • 内蔵クランピング・ダイオードがゲートを25Vから保護し、ESD保護を追加
  • 優れた熱性能
  • パッケージオプション
    • D2PAK-3
    • D2PAK-7
    • D2PAK-7L
    • TO-247-3L
    • TO-247-4L（ケルビン）
    • TO-220-3L
  • ハロゲンフリーおよびRoHS対応

アプリケーション

  • 電気自動車
  • バッテリ充電器
  • テレコムおよびサーバー用電源装置
  • ソーラーインバータ
  • エネルギー貯蔵
  • モータドライブ
  • スイッチング電源
  • 補助電源
  • 負荷スイッチ

リソース

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部品番号 データシート Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Qg - ゲート電荷 パッケージ/ケース Pd - 電力損失
UF3C065040K3S UF3C065040K3S データシート 650 V 54 A 51 nC TO-247-3 326 W
UF3C065040K4S UF3C065040K4S データシート 650 V 54 A 43 nC TO-247-4 326 W
UF3C120080B7S UF3C120080B7S データシート 1.2 kV 28.8 A 23 nC D2PAK-7 190 W
UF3C065030T3S UF3C065030T3S データシート 650 V 85 A 51 nC TO-220-3 441 W
UF3C065080B7S UF3C065080B7S データシート 650 V 27 A 23 nC D2PAK-7 136.4 W
UF3C065080K4S UF3C065080K4S データシート 650 V 31 A 51 nC TO-247-4 190 W
UF3C065080B3 UF3C065080B3 データシート 650 V 25 A 51 nC D2PAK-3 (TO-263-3) 115 W
UF3C065030B3 UF3C065030B3 データシート 650 V 65 A 51 nC D2PAK-3 (TO-263-3) 242 W
UF3C065030K3S UF3C065030K3S データシート 650 V 85 A 51 nC TO-247-3 441 W
UF3C120040K4S UF3C120040K4S データシート 1.2 kV 65 A 51 nC TO-247-4 429 W
公開: 2018-10-15 | 更新済み: 2025-07-25