特徴
- 白色SMTパッケージ(着色シリコン樹脂)
- 高さ0.7mmの低背
- InGaN on Sapphireチップ技術
- 120°視野角
- 1B耐食ロバスト等級
- ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 3B) に準じた8kV ESD安定性
- 均一な配光に最適なランベルトエミッタ
- 3.0mm x 1.4mmのコンパクトフォーム
アプリケーション
- 工業照明
- 画面のバックライト
- 白物家電
- ゲーム、アミューズメント、賭博
仕様
- 温度範囲
- -40°C~+85°C動作
- -40°C~+100°C保存
- +125°C接合温度
- 2mA~30mA順方向電流範囲
- 100mA最大サージ電流
- 重量約10.0mg
公開: 2021-01-04
| 更新済み: 2022-03-11

