Panasonic Industrial Devices AQZ20xG大容量PhotoMOS®リレー
Panasonic AQZ20xG大容量PhotoMOS®リレーは、スリムSIL 4ピン・パッケージ(21.0mm x 3.5mm x 12.5mm)で提供されており、高密度実装が可能です。コンパクトなAQZ20xGリレーは、省スペース設計、低オン抵抗(<0.015Ω typ)、高感度(1mA typ)、低オフ状態漏洩電流(10µA max)が特徴です。この大容量リレーは、非常に小さな負荷から最大6Aまで、さまざまなタイプの負荷を制御しながら、電流と電圧を幅広くスイッチングできます。シーケンサ、モータ、ランプ用のAC/DC電流を実現しています。従来のSSRで必要とされる負荷に応じた区別が不要であり、双方向制御が可能です。トライアック、フォトカプラ、またはSSRは、数百mV以下の信号制御には使用できません。パワー1 Form A PhotoMOSリレーは、極めて低い閉回路オフセット電圧が特徴で、損失を発生させずに低レベルのアナログ信号を制御できます。特徴
- 大容量タイプ・パワーPhotoMOSリレー
- 低オン抵抗と高感度
- AC/DCデュアル使用
- スリムSIL 4ピン・パッケージ
- 最大10μAの低レベル・オフ状態漏洩電流
- 低レベルのアナログ・スイッチを制御
アプリケーション
- 交通信号
- 測定機器
- 産業用マシン
- 水銀リレー交換
仕様
- 入力
- LED順方向電流: 50mA
- LED逆電圧: 5V
- ピーク順電流: 1A
- 電力損失: 75mW
- 出力
- 負荷電圧: 60V、100V、200V、600V
- 連続負荷電流: 6.0A、4.0A、2.0A、1.0A
- ピーク負荷電流: 12.0A、8.0A、6.0A、3.0A
- 電力損失: 1.6W
- 総電力損失: 1.6W
- I/O絶縁電圧: 2500Vrms
- 動作温度範囲: -40°C~+85°C
- 保存温度範囲: -40°C~+100°C
- 動作周波数: 最大0.5cps
- 初期I/O絶縁抵抗: 1000MΩ
- 開路時漏れ電流: 10μA
- RoHS準拠
ビデオ
Additional Resources
公開: 2018-08-24
| 更新済み: 2024-06-28
