Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
Qorvo QPD1004A GaN入力整合トランジスタは25W（P3dB）、50Ω入力整合型ディスクリート窒化ガリウム（GaN）炭化ケイ素（SiC）高電子移動度トランジスタ（HEMT）で、50V電源レール上で30MHz～1400MHzの範囲で動作します。統合された入力整合ネットワークは、広帯域のゲインと電力性能を実現し、出力はオンボードでマッチング可能で、帯域内の任意の領域において電力と効率を最適化します。QorvoQPD1004Aトランジスタは、基地局、レーダー、通信アプリケーションに最適で、CWおよびパルスモードの両方の動作をサポートしています。これらのデバイスは、業界スタンダードの6mm x 5mm x 0.85mm表面実装DFNパッケージに格納されています。
特徴
- 25W（P3dB）、50Ω入力整合ディスクリート型GaN on SiC HEMT
- 50V電源レール上で30MHz～1400MHzまで動作
- 統合入力整合ネットワーク
- 低熱抵抗パッケージ
- CWおよびパルス能力
- 表面実装、6mm x 5mm x 0.85mm DFNパッケージ
- SVHCフリー、PFOSフリー
- 無鉛、ハロゲン/アンチモンフリー、RoHS準拠
アプリケーション
- 防衛用レーダー
- 陸上移動および軍事無線通信
- 試験装置
- 広帯域または狭帯域アンプ
- 妨害器
仕様
- 最大破壊電圧：+145V
- 最大ドレイン電流：3.6A
- 最大ドレイン電流：55V
- ドレインバイアス電流：50mA（標準）
- 最大ゲート電圧範囲：-7V～+2V、-2.8V（標準）
- 最大アイドルゲート電流：7.2mA
- 最大電力損失：27.6W、最大動作：25W
- 最大RF入力電力：29.7dBm
- 周波数範囲：0.6GHz～1.2GHz
- リニアゲイン範囲
- 電力調整：18.4dB ～ 21.2dB
- 効率調整：18.8dB ～ 22.6dB
- 出力電力範囲（3dB圧縮時）
- 電力調整：45.7dBm ～ 46.0dBm
- 効率調整：43.5dBm ～ 45.0dBm
- 電力付加効率範囲（3dB圧縮時）
- 電力調整：59.5% ～ 63.5%
- 効率調整：65.0% ～ 73.7%
- ゲイン範囲（3dB圧縮時）
- 電力調整：15.4dB ～ 18.2dB
- 効率調整：15.8dB ～ 19.6dB
- 最大取り付け温度：320°C（30秒間）
- 動作温度範囲: -40°C～+85°C
- +250°C最高チャンネル温度
- 湿度感度レベル（MSL）3
- ESD定格（ANSI/ESD/JEDEC JS-001）
- 250V人体モデル (HBM)
- 1000V 帯電デバイスモデル（CDM）
機能ブロック図
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公開: 2026-01-13
| 更新済み: 2026-01-19