特徴
- 3Aソースおよび4AシンクNMOSゲート・ドライバ
- ハイサイドFETでのゲート・ドライバを対象とした内部レベル・シフタとブートストラップ・スイッチ
- 最高70Vまでのハイサイド・ゲート・ドライブ・リファレンス
- 8V~18Vバイアス電源動作
- ハイサイドとローサイド・ゲート・ドライバ用の独立したHIおよびLI入力
- 周囲温度範囲: -40°C~+140°C
ブロック図
公開: 2018-12-13
| 更新済み: 2023-02-10
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