Renesas Electronics R2A25110KSPインテリジェントパワーデバイス
Renesas Electronics R2A25110KSPインテリジェントパワーデバイスは、高電圧インバータアプリケーションでのIGBTゲートドライブ用に設計されています。コアレストランス構成によるマイクロアイソレータを用いることで、一次回路側（MCU側）と二次回路側（IGBT側）の間の高電圧絶縁によるデータ伝送を実装しています。
Renesas R2A25110KSPインテリジェントパワーデバイスは、IGBTゲートドライブ回路、ミラークランプ回路、ソフトターンオフ回路、およびIGBT温度検出などの複数の種類の保護回路を組み込んでいます。さらに、R2A25110KSPは、IGBTの並列駆動にも対応しています。
特徴
- オンチップマイクロアイソレータ搭載（絶縁回路）
- 高電圧絶縁：2500VRMS
- 高同相信号除去（CMR）：35kV/us以上
- 高電圧絶縁：2500VRMS
- 高出力ゲートドライブ回路
- ゲートドライブ出力抵抗：最大1.0Ω（IGBT並列接続に対応）
- オンチップアクティブミラークランプ機能
- オンチップソフトターンOFF機能
- 動作温度範囲：-40°C～+125°C（ジャンクション温度：最高150°C）
- オンチップ5Vレギュレータ
- 各種オンチップ保護回路
- IGBTエミッタ電流検出回路：2x チャンネル
- 過電流検出（閾値電圧：0.25V、標準値）、短絡検出（閾値電圧：0.5V、標準値）
- 過電流検出機能の有効化/無効化（SELピン）
- IGBT温度検出回路：2チャンネル
- オンチップ不足電圧阻止回路
- VCC1（5Vシステム）標準4.1V
- VCC2（15Vシステム）標準10V
- オンチップ温度過昇保護回路（+200°C）
- 障害フィードバック（外部コンデンサにより障害ホールド時間を調節可能）
アプリケーション
- 自動車アプリケーションのEV/HEV用メインインバータ
- 自動車アプリケーションのEV/HEV用コンバータ
- 産業機器用インバータとコンバータ
ブロック図
関連製品
Renesas Electronics 車載用パワーデバイス
周辺機器が内蔵され、保護機能が装備されています。
公開: 2023-05-05
| 更新済み: 2023-06-20