ROHM Semiconductor BM3G005MUV-EVK-003評価キット
ROHM Semiconductor BM3G005MUV-EVK-003評価キットは、コンパクトで効率的なプラットフォームで、高速ゲートドライバとGaN HEMTが単一パッケージに統合された BM3G005MUV 650V GaN電力段ICを評価するように設計されています。このROHM Semiconductor評価ボードは高周波スイッチングをサポートし、 トーテムポール力率補正(PFC)や ハーフブリッジコンバータなど、 ハードスイッチング・トポロジーのテスト用に最適化されています。このキットを使用するとユーザーは、スイッチング動作、熱特性、EMI性能をはじめとする主要な性能メトリクスを評価できます。小型フォームファクタと高電力密度を備えたBM3G005MUV-EVK-003キットは、効率、速度、省スペースが重要な次世代 AC-DC および DC-DC コンバータ、 通信用電源、 産業用電源システム、 小型アダプタの開発に最適です。特徴
- BM3G005MUV GaN FET、650V、50mΩ
- 電源電圧範囲 6.83V~35V
- ドレイン電圧:650V
- 最大VDD 自己消費電流:0.24mA
- ターンオンスルーレート: 22V/ns(標準)
- 動作温度範囲:-40°C~+105°C
- 入力閾値
- 正方向範囲:2.35V ~ 3.05V
- 負方向範囲: 0.87V ~ 1.53V
- スーパージャンクションMOSFETといった従来のディスクリート電源スイッチに取って代わることが可能
- 19mm x 22mm サイズ
アプリケーション
- AC-DCおよびDC-DCコンバータ
- PFC回路
- アダプタと充電器
- テレコムおよびサーバ電源
- 再生可能エネルギー システム
必要な機器
- DC 電源(400V DC、100W以上)
- DC 電源(30V DC、10W以上)
- オシロスコープ
- 発振器
測定回路
接続図
回路図
公開: 2025-05-13
| 更新済み: 2025-06-01
