ROHM Semiconductor R60xx PrestoMOS™高電圧MOSFET

ROHM Semiconductor R60xx PrestoMOS™高電圧MOSFETには、600Vを実現しながらボードスペースの最適化を目的とした高速リカバリダイオードが組み込まれており、5つのパッケージ・タイプがあります。これらの第3世代の金属酸化物半導体電界効果トランジスタは、統合インバータが搭載されている電源に最適です。このデバイスの高速スイッチングには、内部ダイオードと高逆回復時間（t_rr）特性が組み合わされており、小型設計に貢献しながら効率の最適化と損失の低減を実現します。