ROHM Semiconductor SCT3x第3世代SiC Trench MOSFET
ROHM SCT3x第3世代SiC Trench MOSFETには、プラナータイプのSiC MOSFETに比べてオン抵抗を50%および入力容量を30%低減している、独自のトレンチゲート構造が活用されています。これによって、スイッチング損失を大幅に低減し、スイッチング速度を高速化させることで、さまざまな装置の電力損失を低減しつつ効率運転を向上させています。これらのデバイスは、650Vおよび1200Vバージョンでご用意があります。
特徴
- 低オン抵抗によってインバータの電力密度が増大
- 650V - 17mΩ～120mΩ
- 1200V - 22mΩ～160Ω
- 高速スイッチングに対応
- ボディダイオードの最小リバースリカバリ動作
- 小Qgおよび寄生容量
- 高温動作（Tjmax=175°C）
アプリケーション
- スイッチモード電源
- ソーラーインバータ
- UPS
- EV充電器
- 誘導加熱機器
- モータ駆動
- 鉄道
- 風力発電コンバータ
ビデオ
関連製品
ROHM Semiconductor シリコンパワーMOSFET
超高速スイッチング速度と低オン抵抗が特徴で、幅広い品揃えのパッケージで提供されます。
ROHM Semiconductor NチャンネルSiCパワーMOSFET
スイッチング中のテール電流が存在せず、より高速な動作とスイッチング損失の低減をもたらします。
ROHM Semiconductor ROHM低消費電力MOSFET
超コンパクトMOSFETは、ポータブルおよびウェアラブルデバイスに理想的です。
ROHM Semiconductor Medium Power MOSFETs
A broad lineup featuring low ON resistance ideal for a wide range of applications.
ROHM Semiconductor BD7682FJ-LB-EVK-402評価ボード
産業機器などのアプリケーションでのAC/DCコンバータを対象に、BD7682FJ-LB ICを評価します。
Eval Board
ROHM Semiconductor BD7682FJ-LB-EVK-402評価ボード
産業機器などのアプリケーションでのAC/DCコンバータを対象に、BD7682FJ-LB ICを評価します。
公開: 2016-10-11
| 更新済み: 2025-02-25