ROHM Semiconductor SH8KデュアルNch+NchパワーMOSFET
ROHM Semiconductor SH8KデュアルNch+NchパワーMOSFETは、40Vまたは60Vの2つのMOSFETが特徴で、8端子の小型表面実装SOP8パッケージに収められています。シャイシリーズには、低オン抵抗および8.4mΩ、12.4mΩ、または19.4mΩの最大RDS（on）が備わっています。その他の機能には、2W消費電力および±8.5A、±10.5、または±13.5Aドレイン電流IDがあります。これらのMOSFETは、RoHS準拠、ハロゲンフリーで、Pbフリーメッキを使用しています。ROHM Semiconductor SH8KデュアルNch+NchパワーMOSFETは、スイッチングアプリケーションに最適です。
特徴
- デュアルNch+Nch極性
- 8端子
- 低ON抵抗
- 小型表面実装パッケージ（SOP8）
- 高速スイッチングアプリケーションに最適
- Pbフリーメッキ
- RoHS準拠
- ハロゲンフリー
仕様
- 40Vまたは60Vドレインソース電圧（VDSS）
- 最大8.4mΩ、12.4mΩ、または19.4mΩ RDS（on）
- ±8.5A、±10.5、または±13.5Aドレイン電流ID
- 2W消費電力
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| 部品番号 | データシート | Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 | Id - 連続ドレイン電流 | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース | Qg - ゲート電荷 |
|---|---|---|---|---|---|
| SH8KB7TB1 |  |
40 V | 13.5 A | 8.4 mOhms | 27 nC |
| SH8KE6TB1 | |
100 V | 4.5 A | 58 mOhms | 6.7 nC |
| SH8KE7TB1 | |
100 V | 8 A | 20.9 mOhms | 19.8 nC |
| SH8KA4TB1 | |
30 V | 9 A | 21.4 mOhms | 15.5 nC |
| SH8KB6TB1 | |
40 V | 8.5 A | 19.4 mOhms | 10.6 nC |
| SH8KC7TB1 | |
60 V | 10.5 A | 12.4 mOhms | 22 nC |
公開: 2021-06-30
| 更新済み: 2023-09-07