STMicroelectronics MDmesh DM2パワーMOSFET
STMicroelectronics MDmesh DM2 シリーズは、ST最新の高速リカバリダイオードシリーズの600VパワーMOSFETで、ZVS位相シフトブリッジトポロジ向けに最適化されています。非常に低い回復電荷および時間(Qrr、trr)を特徴としており、前の世代に比べてR
DS(on)が20%低くなっています。高いdV/dt耐久性(40V/ns)がシステムの信頼性を向上させています。
特徴
- Low gate charge and input capacitance
- Lower RDS(on) x area vs the previous generation
- Low gate input resistance
- Designed for switching applications
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
- High dv/dt and avalanche capabilities
Related Products
High-voltage with very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on).
-500V~1500Vという広範な破壊電圧があります。
Development Tools
STDRIVEG600ゲートドライバをMDmesh DM2パワーMOSFETと組み合わせたハーフブリッジ・トポロジのリファレンス設計を実現しています。
STSPIN32F0601Q BLDCコントローラをベースにした三相インバータのリファレンス設計です。
Complete Your Design
汎用アナログIC、ディスクリート、シリアルEEPROMのための幅広いドロップイン交換製品です。
公開: 2015-04-08
| 更新済み: 2026-01-21