STMicroelectronics EVALMASTERGAN3デモボード

STMicroelectronics EVALMASTERGAN3デモボードは、GaN eHEMTが集積されているMASTERGAN3高電圧ドライバに基づいたハーフブリッジトポロジのリファレンス設計を実現しています。集積パワーGaNは、150mΩのRDS(ON)および650Vドレイン-ソース間絶縁破壊電圧が特徴です。集積ブートストラップダイオードは、組み込みゲートドライバの低圧側に迅速に電源を供給できます。

STMicroelectronics EVALMASTERGAN3デモボードは、QFNパッケージにプリインストールされているMASTERGAN3ドライバが特徴です。デモボードには、VCC単電源が備わったオンボード・プログラマブル入力デッドタイム発生器も搭載されています。組み込みリニア電圧レギュレータには、マイクロコントローラまたはFPGAなどの低電圧ロジック回路を供給するための3.3Vレールが備わっています。

別途の入力信号や単一のPWM信号、オプションの外付けブートストラップダイオード、VCC用の別途の電源、PVCC、あるいはVboの使用、およびピーク電流モードトポロジのための低圧側シャント抵抗器の使用な、ど最終アプリケーションに適合するようにボードをカスタマイズできるように予備のフットプリントがあります。

特徴

  • MASTERGAN3高電圧ドライバが装備されているハーフブリッジ評価ボード
    • 集積650V GaN eHEMT 2個
    • 9mm x 9mm QFNパッケージ
  • KF33BD-TR 3.3V LDOレギュレータ(外付け回路電源用、最大50mA)
  • 高周波数コネクタ(MASTERGAN3 GLおよびGHピン監視用)
  • ネジコネクタでのVCC入力あるいはMASTERGAN3電源電圧向けに設定されたピンストラップ
  • 単一または補完的な駆動信号でMASTERGAN3を駆動する完全機能セット
  • シングルPWM信号をデュアル相補LINおよびHIN信号に変換する組み込みデッドタイム発生器(デッドタイムを個別に調整可)
  • 高電力トポロジの評価を目的とした35°C/W接合部-周囲熱抵抗
  • 低圧側シャント、外付けブートストラップ・コンデンサ、高電圧・高静電容量バルクコンデンサ用の予備のフットプリント
  • 50mm x 70mm FR-4 PCB 
  • RoHS準拠
     

ボードレイアウト

STMicroelectronics EVALMASTERGAN3デモボード
公開: 2021-07-21 | 更新済み: 2022-03-11