特徴
- シングル(12Vシステム)、ダブル(24Vシステム)、48Vバッテリアプリケーションでの動作を目的とした6V~54Vの供給電圧
- FETのハイサイド・ドライバピンで-7V~90Vの耐性あり
- 差動電流センスアンプ2つ:
- SPI(グランドシャントレジスタ接続用0.2*VCCオフセット、位相シャントレジスタ接続用0.5*VCC)経由で出力オフセットを選択可能
- すべてのアンプのゲインファクタをプログラミング可能(10、30、50、100)
- AEC-Q100認定
- 各ゲートドライバ用の入力ピン
- 低スタンバイ消費電流
- VCCピンによって供給される3.3V内部レギュレータ
- 最低6VまでのフルRdsonおよび過電圧保護用ブースト・レギュレータ
- 3つのローサイド・ドライバおよび3つのハイサイド・ドライバ:
- 最大20kHzのPWM動作
- ゲートドライバは、4段階でSPI経由で電流を調整できます。外部レジスタから範囲を設定します。最大ゲート制御電流: 600mA
- 各MOSFETへのソース接続
ビデオ
Block Diagram
Dimensions
公開: 2017-06-07
| 更新済み: 2022-05-31

