STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6スーパージャンクションMOSFET
STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6スーパージャンクションMOSFETは、ZVS、フルブリッジ、ハーフブリッジ技術用に最適化されています。MDmesh DM6パワーMOSFETには、600Vの絶縁破壊電圧が備わっており、最適化された静電容量特性とライフタイム消費プロセスが組み合わされています。MDmesh DM6 MOSFETには、低ゲート電荷（Qg）、非常に低い回復電荷（Qrr）、低回復時間（trr）、優れたRDS(on)/エリアが備わっています。
特徴
- 極めて低いRDS(on) 領域、低ゲート電荷（Qg）、非常に低い回復電荷（Qrr）
- 軽負荷状態向けに最適化された静電容量プロファイル
- 極めて高いdV/dt
- 最適化されたボディ・ダイオードのリカバリ位相
- 最適化された柔軟性
- 極めて高い効率性能と電力密度の増大
- ZVS、フル・ブリッジ、ハーフ・ブリッジ・トポロジでのさらに堅牢な電力変換
- 高動作周波数と優れた熱管理
- 低EMI
アプリケーション
- 電気自動車の充電ステーション
- LED照明
- 電気通信
- サーバ
- ソーラーインバータ
シリーズレベルの図
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公開: 2018-11-15
| 更新済み: 2023-02-23