STMicroelectronics STDRIVEG600ハーフブリッジゲートドライバ

STMicroelectronics STDRIVEG600ハーフブリッジゲートドライバは、シングルチップ・ハーフブリッジゲートドライバで、GaN (窒化ガリウム) eHEMT (エンハンスメントモード高電子移動度トランジスタ）またはNチャンネルパワーMOSFETを対象としています。STDRIVEG600のハイサイドは、最高600Vまでの電圧に耐えるように設計されており、最高500Vまでのバス電圧をともなう設計に適しています。このデバイスは、その大電流能力、短い伝搬遅延、最低5Vまでの電源電圧での動作のおかげで、高速GaNおよびシリコンFETの駆動に最適です。

STDRIVEG600は、下部と上部の両方の駆動セクションでのUVLO (低電圧ロックアウト）保護が特徴で、電力スイッチの低効率または危険な状態での動作を防止します。また、このデバイスには、相互伝導状態を排除するインターロッキング機能も搭載されています。

この論理入力は、最低3.3VまでのCMOS/TTL互換で、マイクロコントローラおよびDSPとの簡単なインターフェイス接続を目的としています。

STMicroelectronics STDRIVE600ハーフブリッジゲートドライバは、SO-16パッケージでご用意があり、-40°C ~ 150°Cの動作接合部温度範囲が備わっています。