STMicroelectronics STP65N150M9パワーMOSFET

STMicroelectronics STP65N150M9パワーMOSFETは、スーパージャンクションMDmesh M9技術に基づいています。このデバイスは、領域あたりの非常_{に低いR DS(on)}が特徴である中/高電圧MOSFETに適しています。シリコンベースのM9技術は、マルチドレイン製造プロセスによるメリットを享受しており、強化されたデバイス構造が可能になります。この結果としてもたらされる製品は、あらゆるシリコンベースの高速スイッチング ・スーパージャンクション・パワーMOSFETの中でもオン抵抗が最低レベルでゲート電荷値が低い製品の1つです。これによって、優れた電力密度と際立った効率性を必要とするアプリケーションに最適です。