TDK MLKインダクタ
TDK MLK多層インダクタには、ギガ・スパイラル・ラミネート構造が採用されており、GHz帯域でのQの減少を制限しながら、MLG構造より高い自己共振周波数に達することができます。高周波用セラミック素材と導電体材料を積層し、焼成した高度なモノリシック構造です。これらのインダクタは、0603（0.6 x 0.6 x .03mm）および1005（1.0 X 0.5 x 0.5mm）パッケージ・サイズでご用意があり、利用可能なインダクタンス1.1、11、100µHが備わっています。 MLKシリーズインダクタTDK -55～125°Cの温度範囲で動作が可能
特徴
- 自己共振高周波用のギガ-スパイラル積層構造
- GHz帯域でのQの減少が限定的
- モノリシック構造、セラミックとの多層化/焼結、導電性材料による高周波
- 無指向性
アプリケーション
- スマートフォン
- タブレット
- 高周波数モジュール（Pas、VCO、FEMsなど）
- Bluetooth
- W-LAN
- WUB
- 移動体通信分野におけるチューナーおよび各種の高周波回路
仕様
- 1nH to 330nH inductance range
- ±0.3nH, ±0.5nH, or ±5% tolerance options
- 50mA to 1A maximum DC current range
- 100mΩ to 8Ω maximum DC resistance range
- Minimum Q range 3 to 22
- 400MHz to 19.3GHz SRF range
- -55°C to +125°C temperature range
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TDK 高周波数インダクタ
独自のセラミック材料と構成が採用されているインダクタで、高Q特性を実現
公開: 2016-05-05
| 更新済み: 2022-10-31