TDK IGBT/FET向けVGTトランス
TDK VGTトランスには、自動巻取りが可能な新しい構造を採用することで、高結合への移行(低リーク)と完全自動巻線への移行が首尾よく組み合わされています。これによって、安定した出力を実現できる絶縁トランスがもたらされています。信頼性の観点からも、巻線の接続ワイヤ端子をボード接続端子から分離することで、高端子の精度の高い平坦度と同様に耐振動性が向上しています。これらのトランスには、シングル出力~車両実装アプリケーション用の4出力タイプに至るまでさまざまな出力範囲があり、各種インバータ・ボードのレイアウトとの互換性があります。VGTコンポーネントは、AEC-Q200の認定を受けており、インバータモータの電源を駆動するインテリジェント・パワー・モジュールに最適です。特徴
- 高飽和磁束密度フェライト・コアを採用することで、さらなる小型ケース・サイズの設計を実現
- 車載グレード
仕様
- 絶縁耐力電圧: 2.6kV
- 動作/保管温度範囲: -40°C~+130°C
- インダクタンス範囲: 2.5µH~20µH
- 漏れインダクタンス範囲: 0.2µH~0.5µH
- AEC-Q200認定
- 耐電圧
- Pri-Sec: 1分間で2.6kVrmsまたは1秒間で3.2kVrms
- コイル-コア: 1分間で1.3kVrmsまたは1秒間で1.6kVrms
公開: 2018-09-11
| 更新済み: 2023-02-10
