Texas Instruments DRV8706S-Q1EVMには、最大15ARMS、20Aピーク電流までモーターを双方向に駆動する4個のNチャンネルMOSFETで構成されているハーフブリッジがあります。評価モジュールは、アナログ電源の単電源およびUSB線から動作します。これらは、外部電源になるようにカスタマイズできます。電源入力をクリーンアップし誤ったバッテリ接続から保護するために、20A RMS定格PIフィルタとともに負18V逆バッテリ保護回路が搭載されています。
特徴
- Hブリッジ・スマート・ゲート・ドライバ評価モジュール(車載アプリケーション用)
- –40°C~+125°C、TA温度グレード 1
- 4.9V~37V動作範囲
- 100% PWMのためのダブラ充電ポンプ
- ハーフブリッジとHブリッジ制御モード
- SPIインターフェイス(詳細な構成と診断用)
- スマートゲートドライブアーキテクチャ
- 調整可能なスルーレート制御
- 0.5mA~62mAピークソース電流出力
- 0.5mA~62mAピークシンク電流出力
- 集積デッドタイム・ハンドシェーク
- MOSFETドレイン-ソースおよびゲートモニタ
- 広いコモンモード電流シャントアンプ
- インライン・センシング
- 利得設定を調整可(10、20、40、80V/V)
- 集積帰還抵抗器
- PWMブランキング・スキームを調整可
- 統合保護機能
- 専用のドライバ無効ピン(DRVOFF)
- 供給とレギュレータ電圧モニタ
- MOSFET VDS過電流モニタ
- MOSFET VGSゲート障害モニター
- 逆極性MOSFETの充電ポンプ
- OFFライン・オープン負荷と短絡診断
- デバイスの温度警告とシャットダウン
- 障害状態割り込みピン (n fault)
ボード・レイアウト
公開: 2021-05-05
| 更新済み: 2025-03-11

