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Toshiba DTMOS VスーパージャンクションMOSFET

Toshiba DTMOS VスーパージャンクションMOSFETは、効率性の高いパワーMOSFET向けの次世代のNチャンネル、ディープトレンチ半導体技術です。 DTMOS Vは、より低いEMIノイズで動作し、DTMOS IV MOSFETに比べてON抵抗RDS(ON)が17%低減されています。 DTMOS Vにはディープトレンチエッチングプロセスがあり、セル間隔が狭くなり、一般的な平面プロセスよりもRDS(ON)が低減されます。 DTMOS VスーパージャンクションMOSFETは、性能の向上に最適で、電力変換アプリケーションの設計を促進します。 アプリケーションには、スイッチング電源、力率補正（PFC）設計、LED照明があります。

特徴

  • Up to 17% reduction in RDS(ON) (Drain-source ON Resistance) compared with the previous DTMOS IV
  • ON Resistance lineup 0.29 to 0.56Ω
  • Various package lineup: To be deployed in 2 packages (DPAK, TO-220SIS)

アプリケーション

  • Servers
  • Switching power supplies for base stations or others
  • Photovoltaic inverters

製品セレクタガイド

アプリケーションノート

Package Dimensions

機械図面 - Toshiba DTMOS VスーパージャンクションMOSFET
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部品番号 パッケージ/ケース Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 データシート
TK380P60Y,RQ DPAK-3 (TO-252-3) 600 V 9.7 A TK380P60Y,RQ データシート
TK290P65Y,RQ DPAK-3 (TO-252-3) 650 V 11.5 A TK290P65Y,RQ データシート
TK560P65Y,RQ DPAK-3 (TO-252-3) 650 V 7 A TK560P65Y,RQ データシート
TK290A60Y,S4X TO-220-3 600 V 11.5 A TK290A60Y,S4X データシート
TK560P60Y,RQ DPAK-3 (TO-252-3) 600 V 7 A TK560P60Y,RQ データシート
TK290A65Y,S4X TO-220-3 650 V 11.5 A TK290A65Y,S4X データシート
TK290P60Y,RQ DPAK-3 (TO-252-3) 600 V 11.5 A TK290P60Y,RQ データシート
TK560A65Y,S4X TO-220-3 650 V 7 A TK560A65Y,S4X データシート
TK380A60Y,S4X TO-220-3 600 V 9.7 A TK380A60Y,S4X データシート
TK380A65Y,S4X TO-220-3 650 V 9.7 A TK380A65Y,S4X データシート
公開: 2017-06-27 | 更新済み: 2022-06-23