Toshiba U-MOSVII MOSFET
Toshiba U-MOSVII MOSFETは、シングルおよびデュアルPチャンネルMOSFETで、低電圧ゲートドライブおよび低ドレイン-ソース間ON抵抗が特徴です。これらのデバイスには、ドレインｰソース間電圧範囲-12V～-20Vおよび連続ドレイン電流範囲-1A～14Aがあります。U-MOSVII MOSFETは、設計上の柔軟性を目的とした広範なパッケージの種類で販売されています。
特徴
- ドライブ電圧の種類: 低電圧ゲートドライブ
- 最大ドレイン-ソース間ON抵抗 (RDS(ON)): 0.0257Ω～2.1Ω (@VGS = -2.5V)
- 極性: Pチャンネル
- ドレイン-ソース電圧 (VDSS): -12V～-20V
- ゲート-ソース電圧 (VGSS): ±10V
- ドレイン電流 (ID): -0.25A ～ -14A
- 電力散逸 (PD): 0.15W～1.25W
- 入力容量 (CISS): 21pF～1400pF
アプリケーション
- 電力管理スイッチ
- アナログスイッチ
アプリケーションノート
- バイポーラトランジスタ: 電気特性
- バイポーラトランジスタ: 最大定格
- バイポーラトランジスタ: 用語
- バイポーラトランジスタ: 熱安定性と設計
- ディスクリート半導体デバイスの温度計算
- MOSFET安全動作領域のディレーティング
- ディスクリート半導体デバイスの熱設計のヒントとコツ: パート1
- ディスクリート半導体デバイスの熱設計のヒントとコツ: パート2
- ディスクリート半導体デバイスの熱設計のヒントとコツ: パート3
- IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）
- MOSFETへのDv/dtレートの影響
- MOSFETアバランシェの堅牢性
- MOSFETゲートドライブ回路
- MOSFETの並列化（並列パワーMOSFETの間での寄生発振）
- MOSFETの自己ターンオン現象
- 寄生発振とパワーMOSFETのリンギング
- パワーMOSFET: 最大定格
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