Qorvo UF3SC 650Vおよび1,200V高性能SiC FET

Qorvo UF3SC 650V、および1200Vの高性能SiC FETは、高速スイッチング速度とより小さいスイッチング損失を実現するために作られた7mΩ～45mΩの低R_DS(on) を持つ炭化ケイ素デバイスです。これらのデバイスは、独自のカスケード回路構成に基づいており、超低ゲート電荷を示しています。カスコード構成では、シリコンMOSFETと同時パッケージ化されたノーマリオンSiC JFETを採用し、ノーマリーオフSiCFETデバイスを製造します。UF3SC FETは、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、Siスーパージャンクションデバイスへの真の「ドロップイン置換」を可能とするスタンダードゲートドライブが特徴です。これらのSiC FETは、低い真性容量と優れた逆回復特性を備えています。Qorvo UF3SC FETは、-55°C〜+175°Cの温度範囲および-20V〜+20Vのゲート・ソース間電圧範囲で動作します。これらのSiC FETは、電気自動車（EV）充電、太陽光発電（PV）インバータ、モータドライブ、スイッチモード電源、力率改善（PFC）モジュール、誘導加熱に最適です。Qorvo UF3SC SiC FETは、TO-247-3LおよびTO-247-4Lパッケージで提供され、より高速なスイッチング速度とクリーンなゲート波形を実現します。