Vishay 共通ドレインが備わった統合MOSFET
Vishay統合MOSFETには、共通ドレインが備わっており、1、2、3チャンネルがある表面実装になっています。統合MOSFETは、Nチャンネル、N+Pチャンネルのオプション、破壊電圧範囲20V～200Vを備えています。拡張モードMOSFETは6ピンまたは8ピン、電力損失範囲は1.5W～69.4W、ドレイン・ソース間抵抗は2.15mΩ～26mΩです。
特徴
- 動作温度: -55ºC～+150ºC
- 取付: SMD
- チャンネル: 1、2、または3
- トランジスタの種類: Nチャンネル、NチャンネルとPチャンネル
- VDSドレイン/ソース間絶縁破壊電圧: 20V～200V
- VGSゲート/ソース電圧: -16V～20V
- RDSドレイン/ソース間抵抗: 2.15mΩ～26mΩ
- ID連続ドレイン電流: 8.5A～60A
- 下降時間: 12us～510ns
- 上昇時間: 3.5us～330ns
- PD電力損失: 1.5W～69.4W
- 拡張モード
- AEC-Q101適合
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| 部品番号 | データシート | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース | Pd - 電力損失 | Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 | Id - 連続ドレイン電流 |
|---|---|---|---|---|---|
| SISF00DN-T1-GE3 |  |
4.2 mOhms | 69.4 W | 30 V | 60 A |
| SISF20DN-T1-GE3 | |
13 mOhms | 69.4 W | 60 V | 20 A |
| SISF04DN-T1-GE3 | |
4 mOhms | 69.4 W | 30 V | 108 A |
| SISF02DN-T1-GE3 | |
2.15 mOhms | 52 W | 30 V | 40 A |
| SI8902AEDB-T2-E1 | |
28 mOhms | 5.7 W | 24 V | 11 A |
| SQUN702E-T1_GE3 | |
9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms | 48 W, 60 W | 40 V, 200 V | 20 A, 30 A |
公開: 2019-05-14
| 更新済み: 2024-10-24