Vishay IRLパワーMOSFET
Vishay IRLパワーMOSFETは、高速スイッチング、堅牢な設計、低オン抵抗、コスト効率を最適なバランスで備えています。Vishay IRL MOSFETには、SOT-223およびDPAKパッケージでご用意があります。これらのMOSFETは、気相はんだ、赤外線はんだ、またはウェーブはんだ技術を使用した表面実装に対応しています。SOT-223パッケージは、熱性能を向上させるために大型タブを搭載し、1.25Wを超える電力損失を可能にします。一方、DPAKパッケージは、代表的なアプリケーションで最大1.5Wの電力損失を可能にします。IRLUおよびSiHLUシリーズは、スルーホール実装用のストレートリードオプションも提供しています。特徴
- 動的dV/dt定格
- 反復アバランシェ定格
- 表面実装(IRLR110、SiHLR110)
- ストレートリード(IRLU110、SiHLU110)
- テープとリールでご用意あり
- ロジックレベルのゲートドライブ
- RDS (on) はVGS = 4Vおよび5Vに指定
- 高電圧絶縁 =2.5kVRMS (t = 60s; f =60Hz)
アプリケーション
- 気相はんだ、赤外線はんだ、またはウェーブはんだ技術を使用した表面実装アプリケーション
- 高電力損失アプリケーション(SOT-223では1.25W超、DPAKでは最大1.5W)
- スルーホール実装アプリケーション(IRLUおよびSiHLUシリーズ使用)
- 高速スイッチングと低オン抵抗を必要とする高耐久性電子設計
- ヒートシンク性能の強化を必要とする集中熱管理型アプリケーション
試験回路
公開: 2024-11-26
| 更新済み: 2025-02-21
