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Vishay NとPチャンネル・ペア熱強化MOSFET

Vishay NおよびPチャンネル・ペア熱強化 MOSFETは、NチャンネルとPチャンネルMOSFETペアが単体のシングルパッケージに組み込まれています。これらのNおよびPチャンネルMOSFETは、優れたスイッチング性能を維持しながらON状態抵抗（RDS(on)）を最小限に抑えるように設計されています。また、NチャンネルとPチャンネルMOSFETの両方を単一のICに組み合わせることで、PCBスペースを節約してアプリケーション設計を簡素化できます。

特徴

  • 1つのパッケージに収められたNチャンネルMOSFETとPチャンネルMOSFET
  • NチャンネルとPチャンネルペアの間での熱追跡
  • 非常に低いRDS(ON)によって、同期またはバック・ブーストDC-DCのための柔軟性に富んだ効率的なソリューションが実現しています。
  • オン状態抵抗範囲（@4.5V):
    • 0.02Ω～10Ω、デバイスに依存
  • ゲート電荷範囲（@4.5V):
    • 0.55nC～21.7nC、デバイスに依存
  • 優れたRDS - Qg FOM（性能指数）によってスイッチモード電源の効率性が向上
  • 選択したデバイスでのESD保護
  • コンパクトで熱強化されたパッケージ
  • パッケージオプション:
    • 1206-8 ChipFET
    • PowerPAK ChipFET
    • PowerPAK SC-70
    • SC70-6
    • SC89-6
    • SO-8
    • TSOP-6
    • TSSOP-8

アプリケーション

  • サーバ
  • 通信装置
  • ドローン
  • 電源管理
  • スマートフォン、タブレット、ウェアラブル、モバイル・コンピューティングといったポータブルデバイス
  • 負荷スイッチ
  • DC/DCコンバータ

SC-70および1206-8 ChipFETパッケージ

チャート - Vishay NとPチャンネル・ペア熱強化MOSFET

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公開: 2019-04-23 | 更新済み: 2024-01-09