Vishay / Siliconix Si8481DB 20V P-チャンネルTrenchFET® Gen III MOSFET
Vishay / Siliconix Si8481DB 20V P-チャンネルTrenchFET® Gen III MOSFETは、低オン抵抗および低0.6mm（最大）の高さを実現しています。Si8481DB MOSFETは、-55ºC～150ºCの動作温度で動作します。このパワーMOSFETは単構成MICRO FOOT® パッケージでご用意しています。アプリケーションには、低電圧降下の負荷スイッチ、バッテリ駆動の電源管理、モバイル、ウェアラブルデバイスがあります。
特徴
- TrenchFET® Gen III pチャンネル・パワーMOSFET
- 低い0.6mm（最大）の高さ
- 低オン抵抗
アプリケーション
- 低電圧降下がある負荷スイッチ
- バッテリ駆動、モバイル、ウェアラブルデバイスでの電力管理
Si8481DBの仕様
Si8481DBの回路図
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オン抵抗と電圧降下が低く、効率性とバッテリ時間を向上させています。
公開: 2017-07-14
| 更新済み: 2022-06-30