Vishay / Siliconix SiHF080N60E EシリーズパワーMOSFET
Vishay / Siliconix SiHF080N60E EシリーズパワーMOSFETは、第4世代Eシリーズ技術が特徴で、TO-220 FULLPAKパッケージに収められています。SiHF080N60E MOSFETには、低性能指数（FOM）Ron x Qgおよび低実効容量（Co(er)）が備わっています。Vishay / Siliconix SiHF080N60E EシリーズパワーMOSFETには、650Vドレイン-ソース電圧63nC総ゲート電荷があります。
SiHF080N60E EシリーズパワーMOSFETは、サーバー、テレコム電力、スイッチモード（SMPS）、力率補正（PFC）電源に最適です。
特徴
- 第4世代のEシリーズ技術
- 低性能指数 (FOM) Ron x Qg
- 低効果容量（Co(er)）
- スイッチング/伝導ロスの低減
- アバランシェ エネルギー定格（UIS）
アプリケーション
- サーバとテレコムの電源
- スイッチモード電源（SMPS）
- 力率補正電源（PFC）
- 照明
- 高輝度放電（HID）
- 蛍光バラスト照明
- 産業
- 溶接
- 誘導加熱
- モータドライブ
- バッテリ充電器
- ソーラー（PVインバータ）
関連製品
Vishay Semiconductors 第4世代EシリーズMOSFET
低FOM、低い実効容量、スイッチング、導通損失の削減が特徴です。
Vishay / Siliconix E Series High Voltage MOSFETs
Offers a 30% reduction in specific On-resistance versus the Vishay S Series Power MOSFETs.
回路図
公開: 2021-03-10
| 更新済み: 2022-03-11