Vishay / Siliconix TrenchFET Gen IV MOSFET
Vishay Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETは、次世代のTrenchFET®ファミリのパワーMOSFETです。TrenchFET Gen IV MOSFETは、業界最小クラスの低いオン抵抗と低い全ゲート電荷をPowerPAK® SO-8および1212-8Sパッケージで実現します。TrenchFET Gen IV MOSFETは、極めて低いRDS(on)を特徴とし、これにより導通損失を抑え、消費電力を削減します。TrenchFET MOSFETは、省スペースのPowerPAK® 1212-8パッケージで提供され、３分の１のサイズの効率性を備えています。主なアプリケーションとして、高出力DC/DCコンバータ、同期整流器、ソーラーマイクロインバータ、モータードライブスイッチなどがあります。
TrenchFET MOSFETは、200V〜800Vのブレークダウン電圧、1.2Vの幅広いゲートドライブ電圧など、多種多様な先進のパッケージで幅広いパワーMOSFETをご用意しています。これらのMOSFETは、負荷スイッチアプリケーションに向けて極めて低いRds(on)を備え、高速スイッチングに向け極めて低いゲート電荷と静電容量に最適化されています。MOSFETには、低電圧と中電圧のTrenchFETがあり、製品が差別化されています。
低電圧TrenchFET®は、高効率、電力密度の向上、省スペースパッケージを特徴としています。コンシューマ機器、ドローン、コンピュータ、通信機器などに最適です。
中電圧TrenchFET®は、小型で高効率なデバイスで、レイアウトの最適化、部品数の削減を可能にし、極めて高い電力効率を実現します。電力供給、モータドライブ制御、再生可能エネルギーに適しています。
Vishay Siliconix SkyFET MOSFETも、Vishay Siliconix TrenchFET Gen IV Power MOSFETシリーズに属しています。
