Wolfspeed GaN HEMT
Cree GaN (窒化ガリウム) HEMT (高電子移動度トランジスタ) は、SiおよびGaAsトランジスタに比べて、より高い出力密度と幅広い帯域幅を提供しています。GaNには、シリコンやガリウム砒素に比べて、高耐圧、高飽和電子ドリフト速度、高い熱伝導率をはじめとする優れた特性があります。
For design flexibility, the Wolfspeed GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.
特徴
- High efficiency
- High gain
- Wide bandwidth capabilities
- High breakdown voltage
- High saturated electron drift velocity
- High thermal conductivity
アプリケーション
- 2-Way private radio
- Broadband amplifiers
- Cellular infrastructure
- Test instrumentation
- Class A and AB linear amplifiers suitable for OFDM, W-CDMA, EDGE, and CDMA waveforms
- Satellite communications
- PTP communications links
- Marine radar
- Pleasure craft radar
- Port vessel traffic services
- High-efficiency amplifiers
Comparison Chart
