IXBT42N170

Name: IXYS IXBT42N170
Brand: IXYS
SKU: 747-IXBT42N170
Price: 5795 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

747-IXBT42N170

メーカ番号：

IXBT42N170

メーカ：

IXYS

詳細：

IGBT BIMOSFET 1700V 75A

データシート:

IXBT42N170 データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
パッケージ/ケース:	D3PAK-3 (TO-268-3)
取り付け様式:	SMD/SMT
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	1.7 kV
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	2.8 V
最大ゲートエミッタ電圧:	- 20 V, 20 V
25 Cでのコレクターの直流:	80 A
Pd - 電力損失:	360 W
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
シリーズ:	IXBT42N170
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
連続コレクタ電流 IC 最大値:	75 A
製品タイプ:	IGBT Transistors
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	IGBTs
トレードネーム:	BIMOSFET
単位重量:	4.500 g

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IXBH42N170 & IXBT42N170 IGBT Power Transistors

IXBH42N170 and IXBT42N170 IGBT Power Transistors are BIMOSFET™ Monolithic Bipolar MOS Transistors featuring high blocking voltage, fast switching, a high current handling capability, and MOS Gate turn-on for drive simplicity. IXYS IGBT Power Transistors are useful for a wide variety of applications, including AC motor speed control, uninterruptible power supplies (UPS), switched-mode and resonant-mode power supplies, capacitor discharge circuits, laser generators, AC switches, and pulser circuits.

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