IKW25N120T2

Infineon Technologies
726-IKW25N120T2
IKW25N120T2

メーカ：

詳細：
IGBT LOW LOSS DuoPack 1200V 25A

ライフサイクル:
NRND:
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データシート:
ECADモデル:
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¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥968 ¥968
¥588.8 ¥5,888
¥491.2 ¥49,120
¥433.6 ¥208,128

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.7 V
- 20 V, 20 V
50 A
349 W
- 40 C
+ 175 C
Trenchstop IGBT4
Tube
ブランド: Infineon Technologies
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: DE
ゲート - エミッタ リーク電流: 200 nA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 240
サブカテゴリ: IGBTs
トレードネーム: TRENCHSTOP
別の部品番号: IKW25N12T2XK SP000244960 IKW25N120T2FKSA1
単位重量: 38 g
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選択した属性: 0

データシート

Product Catalogs

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JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

International Rectifier 1200V 第8世代IGBT

International Rectifier 1200V 第8世代IGBTは、IRの最新世代のトレンチゲート、フィールドストップ技術を業界標準のTO-247パッケージで提供し、産業用途や省エネ用途向けにクラス最高の性能を提供します。この第8世代の技術は、モーター駆動アプリケーションに最適なよりソフトになったターンオフ特性とdv/dtの最小化によってEMIと過電圧を低減させ、信頼性と堅牢性を向上させます。この第8世代IGBTは、1.7Vの標準VCE(ON)で8A～60Aの定格電流を供給し、10µsの短絡定格によって電力損失率を低減させるため、その結果として電力密度と堅牢性を向上できます。薄いウエハー技術を使用する第8世代の1200V IGBTは、熱抵抗を低減し、接合部最高温度は175°Cです。
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