IKW40N120T2

Infineon Technologies
726-IKW40N120T2
IKW40N120T2

メーカ：

詳細：
IGBT LOW LOSS DuoPack 1200V 40A

ライフサイクル:
NRND:
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データシート:
ECADモデル:
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他のパッケージ

メーカ 部品番号:
IKW40N120T2FKSA1
梱包:
Tube
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価格:
¥1,296
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1

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.75 V
- 20 V, 20 V
75 A
480 W
- 40 C
+ 175 C
Trenchstop IGBT2
Tube
ブランド: Infineon Technologies
ゲート - エミッタ リーク電流: 200 nA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 240
サブカテゴリ: IGBTs
トレードネーム: TRENCHSTOP
別の部品番号: IKW4N12T2XK SP000244962 IKW40N120T2FKSA1
単位重量: 38 g
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選択した属性: 0

データシート

Product Catalogs

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JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

International Rectifier 1200V 第8世代IGBT

International Rectifier 1200V 第8世代IGBTは、IRの最新世代のトレンチゲート、フィールドストップ技術を業界標準のTO-247パッケージで提供し、産業用途や省エネ用途向けにクラス最高の性能を提供します。この第8世代の技術は、モーター駆動アプリケーションに最適なよりソフトになったターンオフ特性とdv/dtの最小化によってEMIと過電圧を低減させ、信頼性と堅牢性を向上させます。この第8世代IGBTは、1.7Vの標準VCE(ON)で8A～60Aの定格電流を供給し、10µsの短絡定格によって電力損失率を低減させるため、その結果として電力密度と堅牢性を向上できます。薄いウエハー技術を使用する第8世代の1200V IGBTは、熱抵抗を低減し、接合部最高温度は175°Cです。
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