CoolSiC™ 650V G2炭化ケイ素MOSFET

インフィニオン (Infineon) CoolSiC™ 650V G2 炭化ケイ素MOSFETは、エネルギー損失の低減を可能にすることで炭化ケイ素の持つ性能を最大限に引き出し、電力変換時のさらなる高効率を実現します。Infineon CoolSiC 650V G2 MOSFETは、太陽光発電、エネルギー蓄電システム、EV用DC充電、モータドライブ、産業用電源など、さまざまなパワー半導体アプリケーションにメリットをもたらします。CoolSiC G2を搭載した電気自動車用DC急速充電ステーションは、フォームファクタを維持したまま、前世代比で最大10%の電力損失削減と、より高い充電容量を可能にします。

結果: 53
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説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
1,165在庫
1,500取寄中
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
731在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
725在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 1,800

SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 800在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 2,000

TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
737在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 2,000

SMD/SMT LHSOF-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
データシート
155在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 2,000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 N-Channel 650 V 79 A 33 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V G2
データシート
145在庫
2,000予想2026/02/16
最低： 1
複数： 1
リール: 2,000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 N-Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
86在庫
240予想2026/07/09
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
218在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
2,073在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 1,800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 15 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
1,914在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
1,992在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 48.1 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
5,088在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
1,845在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 1,800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
1,853在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 1,800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
1,756在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
1,569在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
データシート
282在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
511在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
データシート
258在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
1,178在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 210 A 8.5 mOhms - 18 V, + 18 V 5.6 V 439 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
データシート
364在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 158 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
データシート
980在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 33 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
データシート
285在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
データシート
456在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 34.9 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 18 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC