CoolMOS™スーパージャンクションMOSFET

Infineon CoolMOS™ パワートランジスタは、高速スイッチングSJ MOSFETの全メリットを実現しています。CoolMOS 7の導入により、Infineonは、価格、性能、品質の基準を引き続き設定しています。

結果: 189
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
トレードネーム
パッケージ化

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
1,601予想2026/05/14
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
1,000予想2026/03/02
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
915予想2026/03/05
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
350予想2026/06/11
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 10 nC - 50 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
227予想2026/07/03
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
非在庫リードタイム 8 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 1.7 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 9 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 240
複数： 240

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 61 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
非在庫リードタイム 8 週間
最低： 500
複数： 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 1
複数： 1
リール: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 108 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
非在庫リードタイム 8 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
非在庫リードタイム 8 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
非在庫リードタイム 13 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
リードタイム 18 週間
最低： 1
複数： 1
リール: 2,000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
非在庫リードタイム 19 週間
最低： 1,500
複数： 1,500

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolMOS Tube