CoolMOS™7スーパージャンクションMOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 スーパージャンクションMOSFETは、エネルギー効率、電力密度、使いやすさのための新基準を設定します。CoolMOS 7技術は、特定のアプリケーション向けに最適化されており、革新的なパッケージ概念とさまざまな技術が搭載されています。CoolMOS 7 MOSFETは、電気自動車の充電ステーションを、より高い出力でさらなる小型化を実現し、自動車充電の高速化を図る際に適しています。CoolMOS 7のおかげで、新世代のアダプタと充電器は、さらなる小型化、軽量、効率性を実現しています。CoolMOS 7を使用するとエンジニアは、再生可能エネルギーシステムを安価で効率的にできます。

結果: 195
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
376在庫
500取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 155 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
598在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
143在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
3,000在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.5 A 4.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4 nC - 50 C + 150 C 13 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
80在庫
240予想2026/06/03
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
223在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
217在庫
240予想2026/02/16
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 95 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
298在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
データシート
206在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
386在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
174在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
1,494在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 7.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
328在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 50 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
538在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 770 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
データシート
196在庫
4,500予想2026/07/23
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 490 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 43.1 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
231在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 50 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
42,720取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
3,000取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
5,500取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
1,520予想2026/03/26
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 107 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
906予想2026/07/23
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
1,601予想2026/05/14
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
1,000予想2026/03/02
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
915予想2026/03/05
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3
データシート
500予想2026/05/28
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 199 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube