パワー シリコンカーバイド(SiC) ショットキーダイオード

Vishay Semiconductors パワー シリコンカーバイド(SiC) ショットキーダイオードは、高性能を実現する先進的な整流器です。要求が厳しいパワーエレクトロニクスアプリケーションで極めて高い効率、優れた耐久性、信頼性を提供します。ワイドバンドギャップのSiC技術をベースとしたこれらのVishayのダイオードは、逆回復電荷が実質的にゼロであり、極めて高速なスイッチング能力、および温度変化に左右されない性能を備えています。これらの特性により、次世代の高周波パワー変換システムに最適なデバイスです。

結果: 16
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
構成
If - 順電流（Forward Current）
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）
Vf - 順電圧（Forward Voltage）
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）
Ir - 逆電流（Reverse Current）
最低動作温度
最高動作温度
シリーズ
Vishay Semiconductors SIC SCHOTTKYダイオード SiCG4D2PAK2L
データシート
800予想2026/04/14
最低： 1
複数： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SIC SCHOTTKYダイオード SiCG4D2PAK2L
データシート
800予想2026/04/14
最低： 1
複数： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12S2L-M3
Vishay Semiconductors SIC SCHOTTKYダイオード SiCG4D2PAK2L
データシート
800予想2026/04/14
最低： 1
複数： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12S2LHM3
Vishay Semiconductors SIC SCHOTTKYダイオード SiCG4D2PAK2L
データシート
800予想2026/04/14
最低： 1
複数： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SIC SCHOTTKYダイオード SiCG4D2PAK2L
データシート
800予想2026/04/14
最低： 1
複数： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SIC SCHOTTKYダイオード SiCG4D2PAK2L
データシート
800予想2026/04/14
最低： 1
複数： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SIC SCHOTTKYダイオード SiCG4D2PAK2L
データシート
800予想2026/04/14
最低： 1
複数： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SIC SCHOTTKYダイオード SiCG4D2PAK2L
データシート
800予想2026/04/14
最低： 1
複数： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SIC SCHOTTKYダイオード SiCG4D2PAK2L
データシート
800予想2026/04/14
最低： 1
複数： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SIC SCHOTTKYダイオード SiCG4D2PAK2L
データシート
800予想2026/04/14
最低： 1
複数： 1

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2L-M3
Vishay Semiconductors SIC SCHOTTKYダイオード SiCG4D2PAK2L
データシート
800予想2026/04/14
最低： 1
複数： 1

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2LHM3
Vishay Semiconductors SIC SCHOTTKYダイオード SiCG4D2PAK2L
データシート
800予想2026/03/06
最低： 1
複数： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 4C06ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SIC SCHOTTKYダイオード SiCG4D2PAK2L
データシート
800予想2026/03/06
最低： 1
複数： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 4C06ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SIC SCHOTTKYダイオード SiCG4D2PAK2L
データシート
780予想2026/04/14
最低： 1
複数： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SIC SCHOTTKYダイオード SiCG4D2PAK2L
データシート
800予想2026/04/14
最低： 1
複数： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SIC SCHOTTKYダイオード SiCG4D2PAK2L
データシート
800予想2026/04/14
最低： 1
複数： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07S2L-M3