高電圧逆導通（BiMOSFET™）IGBT

IXYS超高電圧シリーズ2500V - 3600V逆導通（BiMOSFET™）IGBTには、MOSFETとIGBTの両方の強みが組み合わされています。これらの高電圧デバイスは、その飽和電圧とその真性ダイオードの順方向電圧降下の両方の正電圧温度係数が特徴で、並列動作に最適です。「無料」の真性ボディダイオードは保護ダイオードとしての役割も果たすため、デバイスをOFFにする際の誘導負荷電流の代替経路を実現しており、高Ldi/dt過渡電圧がデバイスに損傷を与えてしまうことを防止します。

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説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS 製品タイプ
技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
IXYS IGBT TO268 3KV 42A IGBT
データシート
2,747在庫
最低： 1
複数： 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS IGBT TO247 3KV 12A IGBT
データシート
300在庫
最低： 1
複数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
データシート
281在庫
最低： 1
複数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
データシート
122在庫
最低： 1
複数： 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBT 3600V/45A Reverse Conducting IGBT
データシート
301在庫
最低： 1
複数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBT TO247 2500V 42A HI GAIN
データシート
204在庫
最低： 1
複数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBT TO268 3KV 12A BIMOSFET
データシート
277在庫
最低： 1
複数： 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBT TO268 2500V 2A IGBT
データシート
445在庫
660取寄中
最低： 1
複数： 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-247-3

IXYS IGBT PLUS247 2500V 25A IGBT
データシート
199在庫
最低： 1
複数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT TO264 3KV 55A BIMOSFET
データシート
1,275予想2026/07/13
最低： 1
複数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBT 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
データシート
297予想2026/04/22
最低： 1
複数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-HV-3
IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 300
複数： 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS IGBT ISOPLUS 3KV 22A IGBT
データシート
非在庫リードタイム 38 週間
最低： 300
複数： 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS MOSFET ISOPLUS 3KV 24A DIODE
データシート
非在庫リードタイム 57 週間
最低： 300
複数： 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3
IXYS IGBT High Voltage High Gain BIMOSFET
データシート
非在庫リードタイム 57 週間
最低： 300
複数： 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBT TO247 3KV 10A IGBT
データシート
非在庫リードタイム 57 週間
最低： 300
複数： 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBT BIMOSFET 2500V 75A
データシート
非在庫リードタイム 80 週間
最低： 300
複数： 25

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBT 3600V/92A Rev Conducting IGBT
データシート
在庫なし
最低： 25
複数： 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3
IXYS IGBT MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
データシート
非在庫リードタイム 57 週間
最低： 300
複数： 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3