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IXYS X4-ClassパワーMOSFET
IXYS X4-ClassパワーMOSFET
02/02/2026
低オン状態抵抗と低い伝導損失を提供し、効率性が向上しています。
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4クラス パワーMOSFET
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4クラス パワーMOSFET
10/08/2025
セラミックベースの絶縁型パッケージにより、全体的なRth(j-s) と電力処理能力が向上しています。
IXYS IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFET
IXYS IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFET
09/19/2025
これらのデバイスは高阻止電圧および低オン状態抵抗（RDS(ON)）を備えています。
IXYS IXSJxN120R1K 1,200V SiCパワーMOSFET
IXYS IXSJxN120R1K 1,200V SiCパワーMOSFET
08/27/2025
最高1200Vまでの阻止電圧で、18mΩまたは36mΩ低RDS (on) が備わっています。
IXYS IXFP34N65X2WパワーMOSFET
IXYS IXFP34N65X2WパワーMOSFET
03/17/2025
650V、100mΩ、X2 Class HiPerFET™ パワーMOSFETで、Nチャンネル拡張モードが備わっています。
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
03/06/2025
TO263-7Lパッケージの1,200V、30mΩ、79A産業グレードデバイスを備えたシングルスイッチMOSFETです。
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
03/06/2025
1,200V、 80mΩ 、41A工業グレードデバイスが特徴のシングルスイッチMOSFETで、TO263-7Lパッケージに収められています。
IXYS IXFH34N65X2WパワーMOSFET
IXYS IXFH34N65X2WパワーMOSFET
02/27/2025
650V、100mΩ、X2 Class HiPerFET™ パワーMOSFETで、Nチャンネル拡張モードが備わっています。
IXYS IXFH46N65X2WパワーMOSFET
IXYS IXFH46N65X2WパワーMOSFET
02/27/2025
650V、69mΩ、X2 Class HiPerFET™ パワーMOSFETで、Nチャンネル拡張モードが備わっています。
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
02/18/2025
工業スイッチモード電源での使用に推奨される1,200V、30mΩ、79A MOSFETです。
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
02/18/2025
工業スイッチモード電源での使用に推奨される1,200V、80mΩ、41A MOSFETです。
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC MOSFET
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC MOSFET
11/28/2024
電圧定格200V、電流範囲340A ~ 500A、SOT-227Bパッケージに収められています。
IXYS 第5世代XPT IGBT
IXYS 第5世代XPT IGBT
07/25/2024
650Vの定格電圧、35A～220Aの電流範囲、低ゲート電荷が備わっています。 
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Infineon Technologies OptiMOS™7100V自動車用パワーMOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™7100V自動車用パワーMOSFET
05/27/2026
高効率なパワースイッチング向けに設計された先進的なNチャネルデバイスです。
Texas Instruments 2N7002L 6V NチャネルMOSFET
Texas Instruments 2N7002L 6V NチャネルMOSFET
05/18/2026
オン状態抵抗を最小限に抑えながら高速スイッチング性能を維持するよう設計されています。
Infineon Technologies CIPOS™ Prime 車載用 CoolSiC™ パワーモジュール
Infineon Technologies CIPOS™ Prime 車載用 CoolSiC™ パワーモジュール
05/06/2026
xEVアプリケーションでハイパフォーマンスを発揮するように設計されています。
onsemi NVBYST0D8N08XシングルNチャンネルパワーMOSFET
onsemi NVBYST0D8N08XシングルNチャンネルパワーMOSFET
04/14/2026
高電圧動作向けに最適化されており、高速スイッチングや大電流のストレスに耐性あり。
ROHM Semiconductor 高密度SiCパワーモジュール
ROHM Semiconductor 高密度SiCパワーモジュール
04/10/2026
TRCDRIVE パック™、DOT-247、HSDIP20パッケージは高性能な電力変換に貢献します。
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04/07/2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
04/06/2026
高速スイッチングアプリケーション向けの低Rg設計のデュアルNチャンネルMOSFETです。
Vishay VS-HOT200C080 200A 80VパワーMOSFETモジュール
Vishay VS-HOT200C080 200A 80VパワーMOSFETモジュール
04/02/2026
このデバイスは、標準のディスクリートソリューションと比べて基板占有面積を最大15%削減します。
STMicroelectronics STL059N4S8AGパワーMOSFET
STMicroelectronics STL059N4S8AGパワーMOSFET
03/31/2026
Smart STripFET F8テクノロジーで設計された40V Nチャンネル拡張モード対応パワーMOSFETです。
Toshiba Nチャネル/PチャネルパワーMOSFET
Toshiba Nチャネル/PチャネルパワーMOSFET
03/31/2026
高速スイッチング、電源管理スイッチ、DC-DCコンバータ、およびモータドライバに最適です。   
Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7 25VパワーMOSFET
Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7 25VパワーMOSFET
03/27/2026
アプリケーションに最適化された性能により、データセンター、サーバー、AIのピーク性能を実現します。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60VパワーMOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60VパワーMOSFET
03/27/2026
堅牢なパワーMOSFETテクノロジーにより、OptiMOS 5を超える優れた性能を提供します。 
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03/24/2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
Renesas Electronics TP65B110HRU 双方向スイッチ (BDS)
Renesas Electronics TP65B110HRU 双方向スイッチ (BDS)
03/20/2026
650Vおよび110mΩノーマリオフ型窒化ガリウム (GaN)。コンパクトなTOLTパッケージで供給。
Infineon Technologies 中電圧CoolGaN™双方向スイッチ
Infineon Technologies 中電圧CoolGaN™双方向スイッチ
03/17/2026
これらのデバイスは、さまざまなアプリケーションでバッテリ切断スイッチとして機能するのに最適です。
Infineon Technologies OptiMOS™ 8パワーMOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 8パワーMOSFET
03/17/2026
Nチャンネル、ノーマルレベルの80Vまたは100V対応MOSFETで、非常に低いオン抵抗［RDS(ON)］を備えています。
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE パック™ 成形モジュール付き
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE パック™ 成形モジュール付き
03/17/2026
定格電圧1,200Vが特徴で、41.6mm × 52.5mm のパッケージに収められており、第4世代SiC MOSFETが統合されています。
onsemi NVMFD5873NL デュアルNチャネル、パワーMOSFET
onsemi NVMFD5873NL デュアルNチャネル、パワーMOSFET
03/13/2026
コンパクトで効率的なデザインを目的として設計され、高い熱性能を備える。
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
Qorvo QPD2560L300WGaN/SiC HEMT
Qorvo QPD2560L300WGaN/SiC HEMT
03/09/2026
1.0GHz～1.5GHzの周波数帯域で動作する、要求の厳しいLバンドアプリケーション用に設計されています。
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
03/06/2026
Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.
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