結果: 37
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3 75在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16.8 A 538 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3 836在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 252 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 25.5 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 1,699在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 26.5 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 3,012在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 95在庫
7,500予想2026/03/02
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 9 nC - 40 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 4,741在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9 nC - 40 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 3,298在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 490 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 6.9 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY 584在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 900 V 5.1 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 28 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3 27在庫
1,200予想2026/03/05
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 500
複数: 500

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V TO-220FP-3 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10.1 A 650 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 5.1 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube