IAUZ4xN06S5 60V車載OptiMOS™-5 MOSFET

Infineon Technologies IAUZ4xN06S5 60V車載OptiMOS™-5 MOSFETは、ドレイン-ソース間オン状態抵抗が小さいこと、ゲート電荷が低いこと、ゲート静電容量が小さいことが特徴で、導通損失とスイッチング損失を最小限に抑えます。また、これらのMOSFETはNチャンネル拡張モードになっており、極めて低い22.7nC~23.0nC逆回復電荷が特徴です。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証 トレードネーム パッケージ化
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V) 4,677在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 12.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V) 13,003在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8-33 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 5 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel