結果: 29
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWERNEW 886在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7 753在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7 773在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 215 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7 6,349在庫
最低: 1
複数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 40 C + 150 C 67 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 467在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 58 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS 178在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS 242在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS 243在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 58 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 700V 75A TO247-4 93在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 215 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 998在庫
2,000予想2027/03/18
最低: 1
複数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1,274在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 916在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7 1,641在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 225 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS 69在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS 155在庫
500取寄中
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 168 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1,081在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 243在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 168 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 947在庫
1,000予想2026/09/24
最低: 1
複数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 404 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 99在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7 61在庫
240予想2026/07/15
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 194在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 700V 46A TO247-4
240予想2027/02/18
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 500
複数: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 199 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS 非在庫リードタイム 39 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 62 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 40 C + 150 C 169 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS 非在庫リードタイム 39 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 40 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel