QPD GaNトランジスタRF

Qorvo QPD GaN RFトランジスタは、マクロセル高効率システム用の基地局パワーアンプの最終段階であるDohertyアーキテクチャで使用されます。これらのGaNトランジスタは、単一段整合パワーアンプ・トランジスタが搭載されたSiC HEMT上のディスクリートGaNです。一般的なアプリケーションには、W-CDMA/LTE、マクロセル基地局、アクティブアンテナ、汎用アプリケーションがあります。

結果: 34
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
Qorvo GaN FET DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
データシート
5在庫
最低： 1
複数： 1

NI-650 N-Channel
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB
データシート
製品についてのコメント
50予想2026/08/28
最低： 50
複数： 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FET DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm
データシート
製品についてのコメント
100予想2026/07/10
最低： 50
複数： 50

SMD/SMT Die N-Channel 32 V 1.7 A - 65 C + 150 C 34.5 W
Qorvo GaN FET 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
データシート
25予想2026/07/10
最低： 1
複数： 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.8 A + 225 C 49 W
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB
データシート
製品についてのコメント
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 50
複数： 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB
データシート
製品についてのコメント
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 50
複数： 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FET DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 25
複数： 25

Screw Mount NI-360 N-Channel 32 V 7.32 A - 40 C + 85 C 86 W
Qorvo GaN FET 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 1
複数： 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.3 A + 225 C 33 W
Qorvo T1G4020036-FL
Qorvo GaN FET DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 25
複数： 25

NI-650 N-Channel