1EDB7275FXUMA1

Infineon Technologies
726-1EDB7275FXUMA1
1EDB7275FXUMA1

メーカ：

詳細：
ゲートドライバ ISOLATED DRIVER

データシート:
ECADモデル:
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予想2026/07/02
工場リードタイム：
39
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（2500の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥286.4 ¥286
¥209.6 ¥2,096
¥190.4 ¥4,760
¥169.6 ¥16,960
¥158.6 ¥39,650
¥127 ¥63,500
¥118.4 ¥118,400
完全リール（2500の倍数で注文）
¥114.2 ¥285,500
¥112.8 ¥846,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
Isolated Gate Drivers
SMD/SMT
1 Driver
1 Output
9.8 A
3 V
15 V
8.3 ns
5 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Infineon Technologies
水分感度: Yes
製品タイプ: Gate Drivers
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
トレードネーム: EiceDRIVER
別の部品番号: 1EDB7275F SP005351350
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選択した属性: 0

データシート

Product Catalogs

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542310030
ECCN:
EAR99

EiceDRIVER™ゲートドライバIC

Infineon EiceDRIVER™ ゲートドライバICは、MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMTデバイスに適するように設計されています。EiceDRIVER™ ゲートドライバは、0.1A～最大10Aの間で標準出力電流をさまざまに選択できます。これらのデバイスは、高速短絡保護（DESAT）、アクティブミラークランプ、シュートスルー保護、フォルト、シャットダウン、過電流保護などの堅牢なゲートドライブ保護機能を搭載しています。これらの特徴により、これらのドライバICは、CoolGaN™ やCoolSiC™ を含むシリコンおよび広帯域ギャップ電力デバイスに適しています。Infineonは、どんな電力スイッチやアプリケーションにも適した500以上のEiceDRIVER™ ゲートドライバICソリューションを提供しています。

1チャンネルMOSFETゲートドライバIC

Infineon 1チャンネルMOSFETゲートドライバICは、制御ICとパワフルなMOSFETおよびGaNスイッチングデバイスとの間の重要なリンクです。ゲートドライバICは、高いシステムレベル効率、優れた電力密度、一貫したシステム堅牢性を可能にします。
詳細

CoolGaN™窒化ガリウムHEMT

Infineon CoolGaN™窒化ガリウムHEMTには、シリコンにおいて比類のない効率性、信頼性、電力密度、最高クラスの品質といった優れた利点があります。CoolGaNトランジスタは、最も信頼性の高い技術で構築されており、最高レベルの効率性と電力密度を対象に設計されており、スイッチ・モード電源になっています。これらのデバイスは、p-GaNゲート構造が採用されている拡張モード・ゲート・ドライブ・バイアスによって、従来のシリコンMOSFETと同様に動作します。

パワーの違いを体験する

インフィニオンは、パワー半導体市場のリーダーです。20年以上の経験を持ち、画期的なCoolMOS™ スーパージャンクションMOSFETテクノロジーの革新者であるInfineonは、電源管理分野での先駆者としての地位を維持しています。お客様は、業界で最も幅広いシリコンベースのSJ MOSFETポートフォリオから、個々の設計およびシステム要件に応じて選択できます。主要な3つの電源テクノロジーをすべて網羅している数少ないメーカーの一つとして、Infineonは革新的なワイドバンドギャップ（WBG）製品をこのポートフォリオに追加しています。この製品には、炭化ケイ素ベースのCoolSiC™ MOSFET、対応するダイオード、および窒化ガリウムベースのCoolGaN™ e-mode HEMTが含まれています。優れたコストパフォーマンスから比類のない堅牢性、そして最高クラスのデバイスまで、さまざまなソリューションが提供されています。これにより、顧客はより効率的で環境に優しく、持続可能なアプリケーションを構築できます。

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